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簡要描述:【產(chǎn)品名稱】1200℃-PECVD管式爐系統(tǒng)【爐管尺寸】φ40--φ100mm【加熱區(qū)】300mm/440mm 【額定溫度】1200℃【控溫精度】±1℃ 【應(yīng)用領(lǐng)域】PECVD系統(tǒng)(等離子增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng))由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源四大模塊組成。
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詳細(xì)介紹
品牌 | 三特爐業(yè) | 升溫速度(達(dá)到最高溫) | 90/min |
---|---|---|---|
加熱方式 | 電阻式 | 控溫精度 | ±1℃ |
最高溫度 | 1200℃ | 價格區(qū)間 | 面議 |
儀器種類 | 管式爐 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
商品描述
【產(chǎn)品名稱】1200℃-PECVD管式爐系統(tǒng)
【爐管尺寸】φ40--φ100mm
【加熱區(qū)】300mm/440mm
【額定溫度】1200℃
【控溫精度】±1℃
【應(yīng)用領(lǐng)域】1200℃-PECVD管式爐系統(tǒng)(等離子增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng))由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源四大模塊組成, 本設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出使含有薄膜組成原子的氣體電離,在真空腔體內(nèi)形成等離子體,利用等離子的強化學(xué)活性,改善反應(yīng)條件,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù),最終得到基片上沉積出所期望的薄膜。
性能特點:
CVD管式爐系統(tǒng)由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源
管式爐可選擇不同的管徑和恒溫區(qū)的長度,爐管兩端裝有高真空不銹鋼密封法蘭;
真空獲得系統(tǒng)可根據(jù)試驗要求選擇不同的真空泵,旋片式機械真空泵真空度≤5pa,分子泵真空機組真空度1×10-4pa;
氣路供氣系統(tǒng)可選擇3路浮子手動和3路自動質(zhì)量流量系統(tǒng)
真空測量為數(shù)字復(fù)合真空機或皮拉尼真空計
等離子體放電選擇13.56Mhz的設(shè)備電源,功率輸出可選擇200W、300W和500W
管式爐可選擇單溫區(qū)300mm和440mm,也可選擇三溫區(qū)或多溫區(qū)進(jìn)行溫度的梯度試驗
溫控器內(nèi)置的RS485數(shù)字通信端口和USB適配器作為可選配置,可連接PC,用于系統(tǒng)的遠(yuǎn)程控制和監(jiān)視,還可以保存或?qū)С鰷y試結(jié)果。
產(chǎn)品符合歐盟CE標(biāo)準(zhǔn)。
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